射频同轴连接器除起桥梁作用外，求购同轴衰减器，兼有处理信号的功能，如滤波、调相位、混频、衰减、检波、限幅等，功能多样化，恰逢其实的符合了广大射频同轴连接器客户的需求，温宿县同轴衰减器，射频同轴连接器低驻波、低损耗，满足武器系统和精密测量的需要。
种：
1.1、驻波周期性不良；
1.2、局部变形造成的性能不良；
1.3、阻抗不匹配（偏高、偏低或忽高忽低）；
1.4、电缆发泡层与外导体之间窜动；
1.5、发泡层粘贴在内导体上，无法清理；
1.6、内导体尺寸不符合要求;
以上因素均会造成电缆组件的性能不良，要想提高电缆组件性能，必须降低以上失效模式。特别是内导体的尺寸必须要求满足要求。
射频同轴连接器在电性能上应像射频同轴电缆的延伸，大功率同轴衰减器，或者说同轴连接器与同轴电缆连接时应尽量降低对被传输信号的影响， 故特征阻抗和电压驻波比是射频同轴连接器的重要指标，连接器的特征阻抗决定了与它连接的电缆的阻抗类型. 电压驻波比反映了连接器的匹配水平.
A， 特征阻抗: 由传输线的电容和电感决定的传输线的一种固有特征，反映了电场和磁场在传输线的分布状况，只要传输线的介质是均匀的，特征阻抗是一个常数。在同轴线缆或同轴连接器，特征阻抗由外导体的内径，内导体的外径及内外导体间的介质的介电常数决定，存在如下的量化关系。
B， 反射系数: 反射电压与输入电压的比值，射频同轴衰减器，数值越小说明反射的能量越少，匹配越好，特征阻抗越接近，连续性好。
C， 电压驻波比: 输入电压与反射电压的和与输入电压与反射电压的差的比值，此值大于或等于1，越小越好，与反射系数有一定量化关系。
D， 插损：指当一个元器件或系统插入连接到某个电路时，使该电路产生能量损耗，所损耗的能量为该元器件或系统的插损，往往以dB为单位。
E， 三阶互调：被动元器件（如连接器）产生的非线性的两个或多个频率的噪音。引起三阶互调的因素较复杂，需专业的设计和生产技术来降低或预防。
F， 截止频率：当电磁波频率太高（波长太短）时，同轴线缆或同轴连接器的介质空间尺寸（相对于波长）以致电磁波无法再以TEM（电磁波的传播方向，电场方向，磁场方向3者相互垂直）的方式传播时的频率，同轴线缆或同轴连接器的外导体内径，内导体外径越小则截止频率越高 。
G， 介电常数：用于衡量绝缘体储存电能的性能，代表了电介质的极化程度，也就是对电荷的束缚能力，介电常数越大，对电荷的束缚能力越强. 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity)，又称诱电率或相对电容率。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。
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